양극 접속 트랜지스터 (BJTs)의 커트오프 그리고 포화 전압은 능률적인 힘 전자 회로를 디자인하기를 위해 근본적입니다. 이 모수는 트랜지스터와 영향 회로 성과 및 신뢰성의 운영 지역을 결정합니다.

BJTs에 있는 커트오프 전압

커트오프 전압은 transistor를 켜기 위하여 요구되는 최소 기본적인 배출 전압 (V] BE])입니다. V]를 때 BE는 이 문턱의 밑에, 트랜지스터는 열리는 스위치로 행동하는 차단 지역에서 남아 있습니다. 일반적으로, 이 전압은 실리콘 BJTs를 위한 약 0.6 0.7 볼트입니다.

차단 전압을 계산하기 위해, 기본 배출 접합의 앞으로 전압을 고려하십시오. V를 처리하십시오 ]는 이 가치를 전하는 트랜지스터를 위해 필요합니다 초과합니다. 정확한 결심은 힘 회로에서 무인화한 엇바꾸기를 방지하는 것을 돕습니다.

BJTs에 있는 포화 전압

포화 전압 (V]CE(sat))은 트랜지스터가 완전히 켜지면 수집기 배출 전압입니다. 이로 인해 수집기와 이미터의 전전압을 나타냅니다. 실리콘 BJTs의 0.1에서 0.3 볼트의 전형 값 범위.

VCE(sat)]]는 수집가 전류를 고려하는 것 (I]]C]) 및 트랜지스터의 포화 특성. 과도한 전압 강하가 없는 트랜지스터 도달 포화는 동력 효율과 열 관리를 위해 생명입니다.

Practical 계산 방법

절단 및 포화 전압을 결정하기 위해 데이터 시트 사양 및 회로 조건을 사용합니다. 차단을 위해 VBE]가 임계값을 초과합니다. 포화의 경우, 기본 전류 (I]B]])는 수집가 전류를 구동하는 것이 충분합니다 (IC])는 일반적으로 접근법에 의해 포착됩니다.

  • Datasheet 매개 변수
  • 포화를위한 기본 전류 계산
  • 회로에서 전압 방울 측정
  • 기본적인 드라이브를 그러므로 조정하십시오