동시 정류기는 DC-DC 변환기에서 널리 제어 된 MOSFETs로 다이오드를 대체하여 효율성을 향상 시키기 위해 사용됩니다. Proper 구현은 성능 극대화에 필수적이며 증가 된 손실이나 장치 고장과 같은 문제를 방지합니다. 이 문서는 일반적인 실수를 강조하고 그들을 피하기 위해 지도를 제공합니다.

Incorrect 게이트 드라이브 타이밍

가장 빈번한 오류 중 하나는 MOSFETs의 게이트 신호의 부적절한 타이밍입니다. 높은 측면과 낮은 측면 스위치가 올바르게 동기화되지 않은 경우, 두 스위치가 동시에 수행 할 수있는 스포크 및 잠재적 인 손상을 유발하는 스포크를 유발하는 스포크를 통해 촬영 할 수 있습니다.

이를 방지하기 위해, 죽은 시간은 전환 사이에서 제대로 실행됩니다. 내장 된 죽일 시간 제어를 가진 전용 게이트 드라이버 IC를 사용하여 안전한 전환 간격을 유지할 수 있습니다.

Inadequate snubber 및 보호 회로

적절한 스텁 회로 또는 과전류 보호가 전압 스파이크 및 장치 스트레스에서 발생할 수 있습니다. 동시 정류기는 거짓 트리거 또는 손상을 일으킬 수있는 전압 일시적에 민감합니다.

RC 스누버를 구현하고 TVS 다이오드 또는 TVS 배열과 같은 보호 구성품을 사용하여 이러한 문제를 완화하고 신뢰성을 향상시킵니다.

MOSFETs의 잘못된 선택

부적절한 전압과 현재 등급을 가진 MOSFETs를 선택하면 과도한 투과 손실 또는 장치 고장으로 이어질 수 있습니다. 낮은 Rds (on), 적합한 전압 등급 및 적당한 게이트 충전 특성을 가진 MOSFETs를 선택하는 것이 중요합니다.

또한 MOSFETs는 드라이버 회로와 호환되며 응용 프로그램의 열 분산 요구 사항을 처리 할 수 있습니다.

Proper 레이아웃 및 배선

레이아웃은 동시 정류기의 성능에 중요한 역할을합니다. 긴 또는 유도 배선은 전압 스파이크와 전환 소음에 이어 파라시틱 유도를 소개합니다.

높은 현재 경로에 대한 짧은 넓은 추적을 사용하여 MOSFETs에 게이트 드라이브 신호를 닫습니다. Proper 접지 및 차폐는 전자기 방해를 줄이고 전반적인 효율성을 향상시킬 수 있습니다.