현장 효과 트랜지스터 (FET)는 전환 및 증폭을 위한 전자 회로에서 널리 이용됩니다. 그러나, 그들은 회로 성능에 영향을 미치는 실패를 경험할 수 있습니다. 일반적인 문제점을 이해하고 예방적인 전략을 실행하는 것은 장치 신뢰성과 수명을 개량할 수 있습니다.

Field-Effect 트랜지스터의 일반적인 실패

FETs의 실패는 종종 전기 과장, 열 문제 또는 제조 결함에서 발생합니다. 이러한 문제는 장치 분해 또는 완전한 실패를 일으킬 수 있으며 회로 malfunction에 대한 선두 주자입니다.

전기 과장 및 손상

지정된 한계를 넘어 전압 또는 전류를 적용하면 게이트, 배수, 또는 소스 지구를 손상할 수 있습니다. 이 손상은 누설 현재, 임계 전압 이동, 또는 장치 고장으로 나타날 수 있습니다.

열 실패

과도한 열은 반도체 물자와 포장을, 감소된 성과 또는 실패에 지도하. Proper 열 분산 및 열 관리는 그런 문제점을 방지하기 위하여 근본적입니다.

예방적 전략

  • 지정된 전압 및 현재 제한 내에서 작동합니다.
  • 적절한 열 싱크 및 냉각 시스템을 구현합니다.
  • 저항기 또는 다이오드 같이 방어적인 성분을 제한 전압 스파이크에 사용하십시오.
  • 일반적으로 실패의 초기 징후를 검사하고 테스트 장치.
  • 응용의 전압 및 전력 요구 사항에 적합한 고품질 FET를 선택하십시오.