반도체의 충전 수송은 전기 분야 및 농도 그리스의 영향 아래 충전 캐리어, 일차 전자 및 홀의 움직임을 포함합니다. 무인비와 확산 사이의 균형을 이해하는 것은 전자 장치를 설계 및 최적화하는 데 필수적입니다.

책임 수송의 기초

반도체에서 충전 캐리어는 두 가지 주요 메커니즘으로 인해 이동 : 전기 분야에서 기인한 무인 항공기, 농도 그리스에 의해 구동 확산. 드리프트 결과가 지시 된 운동에, 확산은 운반대가 높은 낮은 농도 영역에서 확산을 유발하는 원인이.

모형 드리프트와 확산

댄포스 현재 밀도는 Ohm의 법에 의해 설명된다: J]drift = EA, 어디 ]σ]] 는 전도도와 E 전기 필드입니다. 현재는 FickLT'LT:]]]]]]]]]]]]]]][FLT:]]]]]]]]]]]][FLT:[FLT

드리프트 및 확산을 균형

총 전류 밀도는 무인비 및 확산 구성 요소의 요약입니다. J = Jdrift] + Jdiffusion]] ]. 각의 상대적 중요성은 전기 분야의 힘과 농도 그리스어에 달려 있습니다. 이인슈타인 관계 링크 확산 계수 및 이동성: ]].]]].

반도체 장비의 응용

충전 운송의 정확한 모델링은 장치 성능에 중요합니다. 트랜지스터, 다이오드 및 태양 전지의 설계에 영향을줍니다. 엔지니어는 효율성과 응답 시간을 최적화하는 무질서 및 확산 사이의 균형을 분석합니다.