MOSFETs의 Proper biasing은 신뢰할 수있는 회로 작동에 필수적입니다. 잘못된 biasing 성능 문제, 증가 전력 소비, 또는 장치 손상으로 이어질 수 있습니다. 이 문서는 MOSFET biasing에서 일반적인 실수를 강조하고 그(것)들을 피하는 방법에 대한 지침을 제공합니다.

MOSFET Biasing의 일반적인 실수

한 번의 오류가 컷오프 지역에 너무 가까이에 두 개의 지점을 설정하고 있습니다. 이것은 MOSFET가 의도적으로 작동하거나, 회로 안정성에 영향을 미치는 경우, 예상치 못한 차단을 입력 할 수 있습니다.

다른 실수는 과도한 문 전압을 적용하고, 장치를 손상하거나 안전한 운영 지역 밖에 작동하기 위하여 원인이 될 수 있습니다. 과전압은 또한 힘 dissipation와 감소된 수명을 증가하기 위하여 지도할 수 있습니다.

비스듬한 저항기는 또한 일반적입니다. 너무 높은 또는 너무 낮은 저항을 사용하여 회로의 선형성과 효율성을 영향을 미치는 improper bias 현재에 결과를, 할 수 있습니다.

이 실수를 방지하는 방법

비스듬한 점은 온도와 장치 모수에 있는 변이를 위한 충분한 한계를 제공하는 포화 지구 안에 잘 놓입니다. 적합한 문 전압을 결정하기 위하여 datasheet 명세를 사용하십시오.

항상 최대 게이트 소스 전압 (V]GS) 등급을 확인하고 초과하지 않도록 합니다. 저항기 또는 전압 클램프와 같은 보호 구성 요소를 필요한 경우 전갈하십시오.

계산된 비스듬한 현재와 전압에 근거를 둔 저항기 가치를 선택하십시오. 구현하기 전에 비스듬한 계획을 검증하는 가장 공구를 사용하십시오.

의논하기

  • 포화 지역 내의 바이스 포인트를 설정합니다.
  • 최대 전압 등급을 초과하지 마십시오.
  • biasing 네트워크에 적합한 저항기 값을 사용합니다.
  • 시뮬레이션을 통해 검증된 biasing 계획.