금속 Oxide-Semiconductor 분야 Effect 트랜지스터 (MOSFETs)는 전력 전자공학에서 널리 이용됩니다. 많은 MOSFETs의 주요 특징은 역 방향에서 교류할 수 있는 현재를 허용하는 몸 다이오드입니다. 엇바꾸기 도중 이 다이오드의 행동을 이해하는 것은, 능률적인 회로 디자인 및 가동을 위해 근본적입니다.

MOSFET 몸 다이오드는 무엇입니까?

몸 다이오드는 MOSFET 구조의 본질적인 성분입니다. 그것은 하수구와 근원 지구 사이에서 형성되고 항상 장치에서 존재합니다. 이 다이오드는 하수구에 전압이 역 방향에 있는 근원에 전압을 초과할 때, 현재를 위한 경로를 제공하는 것을 전합니다.

역 복구 Phenomenon

전환 도중, 몸 다이오드는 역회복을 경험할 수 있습니다, 국가 차단에 지휘에서 다이오드 엇바꾸기의 과정입니다. 이 전환은 다이오드의 접속점에 저장한 책임을, 간략한 현재 스파이크에 지도합니다. 반전 회복은 전압 스파이크를 일으키는 원인이 되고 전환 손실 증가할 수 있습니다.

역 복구

역 복구의 효과를 최소화하려면 엔지니어는 여러 전략을 채택 할 수 있습니다.

  • 저 역 복구 충전을 가진 MOSFET 선택: 최적화된 바디 다이오드 특성으로 설계된 장치 전환 손실 감소.
  • 실험 스누버 회로: 이 회로는 반전 회복 현재에 기인한 전압 스파이크를 흡수합니다.
  • 제어 스위칭 속도: 슬로우 스위칭은 다이오드의 역 복구 전류를 감소하지만 효율성을 영향을 줄 수 있습니다.
  • Using 동기식 수정: 활성 제어 MOSFETs와 몸 다이오드를 대체하여 크게 손실을 줄일 수 있습니다.