MOSFETs는 전환과 증폭을 위한 전자 회로에서 널리 이용됩니다. Proper 디자인은 효율성과 신뢰성을 지키기 위하여 근본적입니다. 이 문서는 일반적인 실수를 강조하고 그(것)들을 피하기 위하여 실제적인 끝을 제공합니다.

잘못된 문 드라이브 전압

부적절한 게이트 전압을 적용하면 MOSFET에 완전 전환 또는 손상으로 이어질 수 있습니다. 게이트 전압은 완전히 켜거나 트랜지스터 떨어져를 끄는 장치를 위한 장치의 명세를 일치합니다. 높은 Rds (on)에 있는 너무 낮은 결과인 전압을 사용하여, 전력 손실 증가. 과도한 고전압은 시간에 고장 또는 분해를 일으킬 수 있습니다.

Poor 배치 및 배선

배치는 회로 성능에 크게 영향을 미칩니다. 긴 리드 및 부적절한 접지는 기하학 유도 및 소음을 소개 할 수 있습니다. 게이트, 배수, 소스는 저항을 최소화하기 위해 짧은 및 두께를 추적합니다. 전자기 방해를 줄이고 안정적인 작동을 보장합니다.

열 분산

MOSFETs는 가동 도중 열을 생성합니다. 충분한 열 싱크를 제공하기 위하여 말하면 과열과 실패에 지도할 수 있습니다. 힘 낭비에 근거를 둔 적당한 열 싱크, 열 패드, 또는 팬을 사용하십시오. 열 런웨이를 방지하기 위하여 가동 도중 온도를 감시하십시오.

잘못된 구성 요소 선택

전압을 고려하지 않고 MOSFET를 선택, 현재, 및 전력 등급은 회로 고장을 일으킬 수 있습니다. 항상 장치의 사양이 응용 프로그램의 최대 작동 조건을 초과한다는 것을 확인합니다. RD (on), 게이트 충전 및 최적의 성능을위한 임계값 전압과 같은 매개 변수를 고려하십시오.