금속 산화물 반도체 분야 Effect 트랜지스터 (MOSFETs)는 전환과 증폭을 위한 전자 회로에서 널리 이용됩니다. 그들의 엇바꾸기 행동을 이해하는 것은 능률적인 전력 공급, 모터 관제사 및 디지털 논리 회로를 디자인하기를 위해 근본적입니다. 이 문서는 MOSFET 엇바꾸기와 그것의 실제적인 신청의 뒤에 기본적인 이론을 탐구합니다.

MOSFET의 기본 원칙

MOSFET는 게이트 터미널에서 생성 된 전기 필드를 통해 배수 및 소스 터미널 사이의 전류의 흐름을 제어함으로써 작동합니다. 전압이 특정 임계값을 초과 할 때, 현재 통과 할 수 있도록 전도성 채널을 만듭니다. 이 임계값의 전압이 하락하면 채널이 닫히고 전류 흐름을 중지합니다.

Behavior 및 특성 전환

전환 과정은 'on'(conducting)과 'off'(non-conducting) 상태 사이의 전환을 포함합니다. 주요 매개 변수는 다음과 같습니다.

  • 리즈 타임: MOSFET에 대한 촬영 시간에서 온으로 전환합니다.
  • Fall time: 을 켜서 켜는 시간.
  • Gate Charge: 전환 상태에 필요한 충전량.
  • 스위치 손실:전환 중의 전력이 분산되어 있습니다.

Real-World 응용

MOSFETs는 빠른 엇바꾸기 및 고능률이 요구되는 각종 신청에서 사용됩니다. 예는 다음을 포함합니다:

  • 컴퓨터 및 가전용 전원 공급 장치
  • 전기차의 모터제어 회로
  • 조정기 및 DC-DC 컨버터
  • 오디오 및 RF 시스템의 증폭기