Mosfet 기반 변환기에서 전환 손실과 최소화하는 방법

MOSFET 기반 변환기의 전환 손실은 효율성과 열 관리에 크게 영향을줍니다. 이러한 손실의 계산 및 최소화는 최적의 성능을 위해 필수적입니다. 이 문서는 전력 전자 회로에서 전환 손실 평가 및 감소하는 방법을 개요 제공합니다.

전환 손실 계산

전환 손실은 전환 기간 동안 발생하면 MOSFET가 온 상태와 오프 상태 사이의 전환. 이 손실의 주요 요인은 배수 소스 전압, 게이트 충전 및 전환 주파수를 포함. 전환 손실을위한 기본 공식 (P_]sw])은:

P_sw=0.5 × V_]DS] × I_]D] × (t_]]]에 + t_off) × f[LT[LT:11]]]]]]:12]]

V_DS은 배수장치 소스 전압, I_]D]는 배수 전류, t_]에]와 t_off는 차례로이고 턴오프 시간, f_{]의 정확한 측정을 허용한다.}

전환 손실 최소화 방법

전환 손실 감소는 MOSFET의 전환 동작을 최적화하는 데 목적이 여러 전략을 포함합니다. 이들은 적절한 장치를 선택, 및 회로 설계 수정을 선택 게이트 드라이브 신호를 조정하는 것을 포함합니다.

옵틱 게이트 드라이브

적절한 전압 레벨을 가진 게이트 드라이버를 사용하여 급속한 전환 전환 전환을 보장하고, t_]에]와 t_off]를 감소시킵니다. Proper 게이트 저항은 또한 잔액 손실 및 전자기 방해에 전환 속도를 제어 할 수 있습니다.

적당한 MOSFETs 선택

낮은 게이트 충전 (Q_]g) 및 빠른 스위칭 기능을 갖춘 MOSFET을 선택하십시오. 낮은 출력 용량과 최적화 된 임계값 전압이 낮은 스위칭 손실에 기여합니다.

추가 기술

• resonant 또는 0 전압 엇바꾸기와 같은 연약한 엇바꾸기 기술 구현.
• 가능한 전환 빈도를 감소.
• 스위퍼 또는 스누버 회로를 사용하여 전환 중에 전압 스파이크를 제한합니다.