MOSFETs는 전환과 증폭을 위한 전자 회로에서 널리 이용됩니다. 걸출한 실패 형태는 신뢰성과 디자인을 개량하는 것을 돕습니다. 이 문서는 과열과 모수 편류에 집중하는 MOSFET 실패 분석의 실제 세계 예를 선물합니다.

실패를 과열

과열은 MOSFET 실패의 일반적인 원인입니다. 과열은 반도체 접합을 손상할 수 있고, 장치 탈질 또는 catastrophic 실패로 지도합니다. 1개의 경우에, 모터 운전사에서 사용된 힘 MOSFET는 열 싱크로 인화하기 때문에, 가동의 몇몇 시간 후에 실패하기 위하여 장치를 일으키는 원인이 되었습니다.

실패 분석은 온도가 더 높은 누설 현재를 일으키는 원인이 된 열 런웨이를 밝혀, 온도를 올리는. 개량한 열 싱크 및 기류를 포함하여, 과잉 열 관리는, 재발을 막았습니다.

모수 Drift

매개변수 편류는 시간, 회로 성과에 영향을 미치는 MOSFET 특성에 있는 변화를 포함합니다. 고주파 엇바꾸기 신청에서는, 문턱 전압은 점차적으로, 효율성을 감소시켰습니다. 분석은 문 산화물 층의 분해를 보여주고, 누설 현재를 증가시킵니다.

이 편류는 고전압과 온도에 대한 노출을 연장하기 위해 다시 추적되었습니다. 전압 클램핑 및 더 나은 열 제어를 구현하는 것은 매개 변수를 최소화합니다.

다른 실패 형태

추가 실패 모드는 정전기 방전 (ESD) 손상 및 제조 결함을 포함합니다. ESD는 나중에 나타나는 즉시 장치 실패 또는 미사일 손상을 일으킬 수 있습니다. 불순 불완전한 도핑과 같은 제조 결함은, 또한 초기 실패로 지도할 수 있습니다.

  • 과전류 응력
  • 기계 손상
  • 환경 요인