고속 스위칭 레귤레이터 설계는 적절한 구성 요소를 선택하고 효율성을 보장하기 위해 정확한 계산을 수행 할 수 있습니다. 전환 요소로 MOSFET를 사용하여 낮은 저항 및 빠른 스위칭 기능과 같은 이점을 제공합니다. 이 문서는 이러한 레귤레이터를 설계하기위한 필수 계산 및 모범 사례를 다룹니다.

구성요소 선택

오른쪽 MOSFET을 선택하면 고속 작동에 중요합니다. 키 매개 변수는 임계 전압, 배수 소스 저항 (Rds (on)), 게이트 충전 및 최대 전압 및 현재 등급을 포함합니다. 낮은 게이트 충전으로 MOSFET을 선택하면 스위치 손실, 높은 주파수에서 효율성을 향상시킵니다.

Switching 성능 계산

계산은 전환 손실, 게이트 드라이브 요구 사항 및 유도자 선택 결정에 초점을 맞추고 있습니다. 전환 손실은 공식을 사용하여 예상 될 수 있습니다 :

전력 손실 = 0.5 × Vds × Id × tr / tf

Vds는 배수 소스 전압, Id는 배수 전류, tr는 상승 시간이고, tf는 낙하 시간입니다. Proper 문 저항기는 균형 엇바꾸기 속도 및 전자기 방해 (EMI)를 노래합니다.

고속 설계에 대한 모범 사례

성능 최적화를 위해, 소형 레이아웃을 최소화하기 위해 파라시틱 유도. 전용 접지 평면 및 짧은, 높은 전류 경로에 대한 두꺼운 추적을 사용합니다. 프로퍼 게이트 드라이브 회로는 오버포팅이나 링없이 빠른 전환을 보장합니다.

또한, 전압 스파이크를 억제하는 데 필요한 경우 snubber 회로를 포함합니다. 일반적으로 고주파 작동 중에 과열을 방지하기 위해 열 관리를 확인합니다.