MOSFETs의 신체 효과는 장치의 임계값 전압 및 전반적인 성능에 영향을 미치는 중요한 현상입니다. 그것은 신체 (또는 기판) 사이의 전압 차이를 일으킬 때 발생하고 소스 터미널은 채널 형성에 영향을 미칩니다. 이 효과는 신뢰할 수있는 효율적인 전자 회로 설계에 필수적입니다.

Body Effect는 무엇입니까?

몸 효력은 몸과 근원 사이 전압 다름에 기인한 MOSFET의 문턱 전압에 있는 변화를 나타납니다. 몸 전압이 근원 보다는 더 높을 때, 그것은 장치가 켜기 위하여 더 열심히 하는 문턱 전압을 증가합니다. 이 효력은 근원에 연결되지 않는 몸 맨끝을 가진 장치에서 발음됩니다.

의약적인

몸 효력은 아날로그와 혼합 신호 신청에서 회로 행동, 특히 충격을 줍니다. 그것은 트랜지스터의 엇바꾸기 특성에 있는 변이에 지도하고 biasing 조건에 영향을 미칠 수 있습니다. 디자이너는 수시로 다른 운영 조건의 맞은편에 일관된 성과를 지키는 이 효력을 위한 계정이 필요 합니다.

몸의 영향을 측정

신체 효과 때문에 임계값 전압의 변화는 공식에 의해 대략적인 일 수 있습니다:

ΔV]]=γ(√|V]SB+2φ]F]| √|2φF|]

위치:

  • γ는 신체적 영향 계수입니다.
  • VSB]는 소스-체 전압입니다.
  • φF]]는 Fermi 잠재력입니다.

이 계산은 임계 전압이 신체 전압의 변화와 함께 변화하는 방법을 예측하는 데 도움이되며, 더 정확한 회로 설계에 대한 안내.