Threshold 전압은 MOSFET 가동에 있는 중요한 모수, 장치를 켜기 위하여 필요로 하는 최소한도 문에 근원 전압을 나타내는 입니다. 정확하게 이 전압을 결정하는 것은 회로 디자인과 분석을 위해 근본적입니다. 이 가이드는 측정과 분석을 통해서 임계 전압을 찾아내는 똑바른 방법을 제공합니다.

Threshold 전압을 이해하십시오

임계값 전압 (V]th])는 MOSFET가 배수 및 소스 사이의 전류를 수행하는 전압입니다. 그것은 장치 제작, 온도 및 바이스 조건에 영향을받습니다. 정확한 측정은 회로 매개 변수 내에서 적절한 장치 작동을 보장합니다.

측정 준비

측정하기 전에 MOSFET는 시험 회로에서 제대로 연결됩니다. 문 전압을 적용하기 위하여 전력 공급을 이용하고, 한계 현재에 하수구를 가진 시리즈에 있는 저항기, 하수구 근원 전압을 측정하는 전압계를 이용합니다. 거치된 근원 맨끝을 지키십시오.

Step-by-Step 측정 절차

  • 배수장치 근원 전압 (V]DS)를 0.1V와 같은 작은, 일정한 가치에 놓으십시오.
  • Gradually는 0V에서 게이트 소스 전압 (V]GS])를 상승시킵니다.
  • 배수 전류 (I]D) 또는 저항기의 배수 전압을 모니터링합니다.
  • VGS 값을 정수로 변경하여 배수 전류가 크게 증가합니다.
  • 이 VGS는 대략적인 임계값 전압입니다.

대안 방법: 이동 특성 Plot

배수 전류 (I]D]) 게이트 전압 (V]GS]])에 대한 배수 전류를 뽑아 전송 특성 곡선을 만듭니다. 임계 전압은 일반적으로 VGS]]에 의해 식별됩니다. 즉, ID은 1 μA와 같은 특정 작은 전류에 도달합니다.