MOSFET의 배수 전류를 계산하는 것은 전자 회로 설계 및 분석에 필수적입니다. 그것은 장치의 운영 영역을 이해하고 적절한 방정식을 적용하는 것을 포함합니다. 이 가이드는 배수 전류를 정확하게 결정하는 실용적인 접근 방식을 제공합니다.

MOSFET 운영 지역 이해

MOSFET는 3개의 지역에서 주로 운영하고 있습니다: 커트오프, 삼극관 (선형), 그리고 포화. 지역은 배수장치 현재를 계산하기를 위한 방정식을 결정합니다.

계산을 위한 중요한 모수

배수 전류를 계산하려면 다음 매개 변수가 필요합니다.

  • VGS]: 게이트-투-소스 전압
  • VDS]: 배수장치에 자원 전압
  • V]]]: 임계 전압
  • W: MOSFET 채널의 폭
  • L]: 채널의 길이
  • μn]]: 전자 이동성
  • Cox]]: 단위 면적 당 산화물 커패시턴스

포화의 딜 전류

MOSFET가 포화에서 작동 할 때, 배수 전류 (I]D])는 다음과 같이 계산 될 수 있습니다.

ID] = (1/2) * μ]n] * C]ox * (W/L) * (VGS - V][[FLT:]]]]]]]]]]]][FLT:]][FLT:]]]]]]]]]][FLT:

Triode Region의 계산 배수 전류

선형 또는 삼극 지역에서 배수 전류가 주어집니다.

ID=μn * Cox * (W/L) * [(V]GS] - V]LT]]] ]]]]]]]]]]]]]]]]][FLT:]]]]]]]]]]]]]]]]]][F

실제 계산 단계

정확한 계산을 위한 이 단계를 따르십시오:

  • VGS과 V]DS]를 기반으로 운영 영역을 결정합니다.
  • V]DS ≥ (VGS - V]]]]) 의 포화 방정식을 사용합니다.
  • VDS < (V]GS] - V]]]]])의 트리오 방정식을 사용합니다.
  • 지정된 매개 변수를 적절한 공식으로 삽입합니다.
  • 배수 전류를 따라 계산합니다.