MOSFET의 on-resistance (RDS(on)])는 효율적인 전자 회로 설계에 필수적입니다. 그것은 전력 분산, 열 발생 및 전반적인 장치 성능에 영향을 미칩니다. 적당한 RDS(on) 값으로 MOSFET의 Proper 계산 및 선택은 회로 신뢰성과 효율성을 향상시킬 수 있습니다.

MOSFET On-Resistance는 무엇입니까?

On-resistance는 MOSFET가 완전히 켜지면 배수 및 소스 터미널 사이의 저항을 나타냅니다. 작동 중에 장치에서 얼마나 많은 전압 드롭이 발생했는지 나타내는 주요 매개 변수입니다. 낮은 RDS(on)[ 값은 적은 전력 손실과 열 발생으로 인한 것입니다.

R]DS(에)를 수정하는 인자

몇몇 요인은 장치 기술, 수로 길이 및 문 전압을 포함하여 MOSFET의 저항에 영향을 미칩니다. 문 전압을 초과하는 문 전압을 증가하는 것은 장치에서 완전히 도는에 의하여 R]DS(에) 를 감소시킵니다. 장치 제조공정은 또한 불완전한 저항에 있는 역할을 합니다.

RDS(에)

RDS(on)] 값은 MOSFET datasheet에서 전형적으로 제공됩니다. 예상 전력 분배를 위해, 공식을 사용하십시오:

P = I2]] × RDS(에)]]]

장치에서 현재 흐르는 곳에. R]DS(on) 값을 처리하는 것은 회로의 허용한 한계 안에 과도한 열과 에너지 손실을 방지하는 데 도움이 됩니다.

선택을위한 실용적인 팁

MOSFET를 선택하면 다음을 고려하십시오.

  • R]DS(on) 의 작동 게이트 전압에서 데이터 시트를 확인 합니다.
  • 장치를 보장하는 최대 하수구 현재를 취급할 수 있습니다.
  • 열을 효과적으로 분산시키는 열 관리 고려하십시오.
  • R]DS(on)]의 값을 비교하여 최적의 효율을 위한 다양한 디바이스에 걸쳐 비교합니다.