양극 접속 트랜지스터 (BJT)에 있는 수집가 현재를 계산하는 것은 능률 적이고 믿을 수 있는 운영하기 위하여 회로를 설계하기를 위해 근본적입니다. Proper 계산은 그것의 안전한 운영 한계 내의 트랜지스터 기능을 지키고 원한 증폭 또는 엇바꾸기 성과를 달성합니다.

수집가 현재

수집가 현재 (Ic)는 수집가에서 BJT에 있는 이미터에 흐르는 현재입니다. 그것은 transistor의 기초 현재 (Ib)와 현재 이익 (hFE 또는 β)에 의해 1 차적으로 통제됩니다. Ic의 정확한 계산은 적합한 저항기 가치 및 편향 조건을 선정하는 것을 돕습니다.

수집가 현재

수집가 현재를 위한 기본적인 공식은:

Ic = β × Ib

위치:

  • Ic: 수집가 현재
  • β: 트랜지스터의 현재 이득
  • Ib: 기본 전류

Ib를 결정하기 위하여는, biasing 저항기 및 공급 전압을 이용합니다:

Ib = (Vb - Vbe) / Rb

Vb는 기본적인 전압인 Vbe가 기본적인 emitter 전압 (실리콘 BJTs를 위한 전형적으로 0.7V)이고, Rb는 기본적인 저항기입니다.

최적의 회로 성능

최적의 성능을 달성하기 위해 원하는 수집가 전압과 전력 흩어지기를 제공하는 수집가 전류를 선택하십시오. Ic가 손상을 방지하기 위해 트랜지스터의 최대 등급 내에서 유지한다는 것을 보장합니다.

기본적인 저항기 및 비스듬한 네트워크를 그러므로 조정하십시오. 가동 도중 실제적인 수집가 현재 감시는 예정된 것과 같이 회로 기능을 확인하고 안정성을 유지합니다.