p-n junction의 내장 잠재력은 반도체 장치의 동작에 영향을 미치는 중요한 매개 변수입니다. 이론적 계산 및 실험 측정을 포함하여 다양한 방법을 통해 결정 될 수 있습니다. 이 가이드는 정확하게 내장 된 잠재적 인 상황을 추정하는 실질적 인 단계를 제공합니다.

내장된 잠재력의 이론적 계산

가장 일반적인 접근법은 p 유형과 n 유형 지구의 도핑 농도를 사용합니다. 공식은 다음과 같습니다.

Vbi] = (kT/q) * ln(Na * Nd] / ni] 2]]]]]]]

위치:

  • Vbi]]=인기적
  • k = Boltzmann 상수
  • T = 켈빈의 온도
  • q = 초급
  • Na]]=수입 농도
  • Nd]=소독농축
  • ni]] = intrinsic 캐리어 농도

실험 측정 방법

1개의 실제적인 방법은 depletion 폭과 붙박이 전기 분야 측정을 포함합니다. 기술은 정전 전압 (C-V) 프로파일링과 현재 전압 (I-V) 측정을 포함합니다. 이 방법은 잠재적인 예상하기 위하여 empirical 자료를 제공합니다.

측정을 위한 실제 단계

실험적으로 내장 된 잠재력을 결정하려면:

  • p-n 접합 장치를 준비하고 측정 설정에 연결하십시오.
  • 다양한 전압에서 depletion 용량을 얻는 C-V 측정을 수행합니다.
  • Plot 1/C2 versus 전압을 찾아 내장 잠재력을 추정하는 인터셉트를 찾습니다.
  • 또는, 평형 조건 하에서 개방 회로 전압을 측정 합니다.