PN 접합부의 depletion 영역은 반도체 설계 및 분석에 필수적입니다. 이 가이드는 엔지니어가 장치 성능을 최적화하는 데 도움이되는 데뮬레이션 폭을 추정하는 실용적인 방법을 제공합니다.

의 기본 Depletion 지역

depletion 지역은 이동할 수 있는 책임 운반대가 depleted PN 접합의 주위에 지역입니다. 그것의 폭은 고장 전압과 축전기와 같은 장치의 전기 특성에 영향을 줍니다.

요인은 Depletion 폭을 Affecting

depletion 지역의 폭은 점핑 농도, 적용 전압 및 물자 재산을 포함하여 몇몇 요인에, 달려 있습니다. 더 좁은 depletion 지역에서 더 높은 점핑 수준 결과는, 증가한 반전 bias 넓은 지역을 포함합니다.

의붓기 폭

간단한 추정을 위해, depletion 폭 (W)는 뒤에 오는 공식을 사용하여 산출될 수 있습니다:

W = √(2εV / qN)

위치:

  • ε] 반도체의 허가
  • V는 적용 전압입니다.
  • q 은 초회비
  • N은 도핑 농도입니다.

이 약사는 균일한 도핑과 깔끔한 가장자리 효과를 가정합니다. 더 정확한 계산을 위해 수치 방법이나 시뮬레이션 도구가 권장됩니다.