트랜지스터 기반 회로는 전자 프로젝트의 기본입니다. 양극 접합 트랜지스터 (BJT) 구성 요소의 Proper 선택 및 계산은 회로 기능과 신뢰성을 보장합니다. 이 문서는 올바른 BJT 구성 요소를 선택하고 프로젝트에 필요한 계산을 수행하는 과정을 안내합니다.

BJT Basics에 대한 이해

양극 접속점 트랜지스터 (BJT)는 증폭과 엇바꾸기를 위해 사용된 현재 통제되는 장치입니다. 그것에는 3개의 맨끝이 있습니다: 수집가, 기초 및 이미터. 가동은 수집가와 이미터 사이 더 큰 현재를 통제하는 기초로 흐르는 현재에 달려 있습니다.

구성요소 선택 기준

오른쪽 BJT를 선택하면 여러 매개 변수를 고려해야 합니다.

  • 현재 등급 (Ic): 수집가 전류를 최대 정격 값을 초과하지 않는 것을 보장한다.
  • 전압 등급(Vce): 회로의 최대 전압보다 수집기 배출 전압을 가진 트랜지스터를 선택한다.
  • Gain (hFE): 당신의 신청을 위한 충분한 현재 이익을 가진 트랜지스터를 선택하십시오.
  • 패키지 유형: 물리적 크기와 열 분산 요구 사항을 고려합니다.

계산 기초와 수집가 저항

저항기는 BJT 회로에 있는 현재 교류를 통제하기 위하여 이용됩니다. 계산은 당신의 원한 수집가 현재 (Ic)와 기본적인 현재 (Ib)에 달려 있습니다.

기본적인 저항기 (Rb)는 사용하여 산출될 수 있습니다:

Rb = (Vb - Vbe) / Ib

Vb는 기본적인 공급 전압이고 Vbe는 실리콘 BJTs를 위한 전형적으로 0.7V입니다.

수집가 저항기 (Rc)는 다음과 같이 계산됩니다:

Rc = (Vcc - Vce) / Ic

관련 기사

Proper 구성 요소 선택 및 계산은 효과적인 BJT 회로 설계에 필수적입니다. 매개 변수와 계산을 이해하는 것은 의도하고 신뢰성을 유지하면서 프로젝트 기능을 보장합니다.