양극 접합 트랜지스터 (BJT)의 작은 신호 모수는 고주파 회로를 디자인하기를 위해 근본적입니다. 이 모수는 작은 입력 신호에 주제를 때 트랜지스터의 행동을 분석하는 것을 도울 것입니다, 특히 기생적인 효력이 뜻깊게 되는 고주파에 특히.

BJT의 핵심 소폭적인 모수

1 차적인 작은 신호 모수는 transconductance (gm), 입력 저항 (rπ), 산출 저항 (ro) 및 현재 이익 (β)를 포함합니다. 이 모수는 트랜지스터의 DC 특성에서 파생되고 AC 분석에 있는 그것의 행동을 모형하기 위하여 이용됩니다.

측정 투과율 (gm)

Transconductance (gm)는 효과적으로 BJT가 입력 신호를 증폭하는 방법을 나타냅니다. 그것은 작동 점에 수집가 현재 (IC)를 사용하여 산출됩니다:

gm = IC / VT]

VT는 열 전압, 실내 온도에 대략 25 mV입니다.

입력 저항 (rπ)를 계산

입력 저항, rπ, BJT의 기초로 보는 입력 임피던스를 만듭니다. 그것은에 의해 주어집니다:

rπ = β/gm]

높은 주파수 효과 및 패러시틱

높은 주파수에서, 기적 용량은 기본 커패시터 커패시턴스 (Cbc) 및베이스 배출 커패시턴스 (Cbe)와 같은 BJT의 행동에 크게 영향을 미칩니다. 이 기적은 작별 모델에 정확하게 예측 성능에 포함되어 있습니다.

이 효과에 대한 계정이 하이브리드 π 모델을 사용하여 분석의 기생충 용량을 포함하여 이러한 영향을 고려하는 전형적인 방법. 이 접근법은 높은 주파수에서 효율적으로 작동 회로 설계에 도움이됩니다.