고주파 엇바꾸기 신청을 위한 적합한 MOSFET를 선택하는 것은 능률 적이고 및 믿을 수 있는 회로 성과를 위해 근본적입니다. Proper 선택은 동의와 힘 효율성을 전환하는 중요한 모수 및 특성에 관하여 포함합니다.

MOSFET 선택을위한 주요 매개 변수

몇몇 모수는 고주파 엇바꾸기를 위한 MOSFET의 suitability를 결정합니다. 이들은 문 책임, 입력 축전기 및 엇바꾸기 속도를 포함합니다. 더 낮은 문 책임 및 입력 용량은 더 빠른 엇바꾸기를 가능하게 하고 가동 도중 힘 손실을 감소시킵니다.

고려해야 할 중요한 특성

MOSFET를 선택하면 다음과 같은 특성을 고려하십시오.

  • Rds(on): on-resistance는 전도 손실에 영향을 미칩니다; 값이 더 선호됩니다.
  • Gate 임계값 전압: 제어 회로 전압 수준과 호환되어야 합니다.
  • 용량: 입력 및 출력 커패시턴스 영향 전환 속도.
  • 최대 배수장치-출원 전압 (Vds): 회로의 최대 전압을 초과해야 합니다.
  • 열 특성:열방출은 고주파 작동에 필요한 것입니다.

높은 주파수 응용 프로그램에 대한 추가 팁

고속 엇바꾸기를 위해 특별히 디자인된 MOSFET를 사용하여, 수시로 “RF” 또는 “고주파” MOSFET로 레테르를 붙입니다. 기류 유도 및 축전기를 극화하는과 같은 Proper 배치 기술은, 또한 엇바꾸기 성과를 개량할 수 있습니다.