나노 스케일링 Microprocessors의 도전은 나노 스케일 기술로

실리콘은 수십 년 동안 마이크로 전자의 작업자이지만 나노 스케일의 특성이 제한됩니다. 얇은 실리콘 채널의 전자 이동식 등급 및 밴더갭 좁은, 누설 증가. 연구의 년 후, 산업은 에 돌진 된 실리콘, 실리콘 ‐ 거만 (SiGe) 채널, III ‐ V 화합물 반도체 (LT:0)에 돌진했다. 그러나 이러한 물질은 다음과 같은 물질을 나타내는 것입니다. ], 실리콘 ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐

현재 솔루션 및 연구 방향

고급 Lithography 기술

13.5 nm 파장의 EUV lithography는 7 nm 및 5 nm 노드를 활성화했습니다. 차세대 하이 ‐NA (numerical aperture) EUV 도구는 1 nm 이하로 해상도를 밀어 약속합니다. 그 사이에 멀티 패트릭 기술 (각각 더블 패턴, 쿼드 패턴)은 현재 도구가 더 높은 비용과 복잡성을 가진 미세 기능, 알베이트를 인쇄 할 수 있습니다. EE Times EUV의 결함을 통해 EUV의 결함을 채택하고, 손상을 최소화하고, 손상을 최소화하는 데 필요한 조치를 취합니다.

새로운 채널 재료

3 nm 및 2 nm 노드의 경우, ]gate‐all‐around (GAA) field‐effect transistors (FETs) 실리콘의 겹쳐진 나노 시트를 사용하여 finFETs를 대체합니다. GAA 구조는 더 나은 정전기 제어 및 감소 된 누설을 제공합니다. 더 앞서 보면서, 탄소 나노 튜브 (CNTs) 제안 가까운 공적 운송을 제공하고 sub‐10 nmaligns에 실리콘을 outperform 할 수 있습니다. [FLT]는 전자 공학의 길이를 측정하고, 전자 공학의 온도를 측정하는 데 사용됩니다.[FLT]

3D 통합 및 칩셋 디자인

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Quantum 컴퓨팅 및 Beyond-CMOS

퀀텀 컴퓨팅] 퀀텀 컴퓨팅은 수많은 문제들을 신속하게 해결하기 위해 초위치와 entanglement를 악화합니다. 퀀텀 프로세서는 퀀텀 회로, 덫을 놓은 이온, 실리콘 척 쿼빗으로 구성된 퀀텀 프로세서가 필요하며, 퀀텀 프로세서는 퀀텀의 퀄리티를 통해 기존의 퀄리티를 통해 ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐

나노 스케일 Microprocessors의 미래

이 시스템은 기존의 실리콘 CMOS 스케일링이 2030 nm 노드의 주위에 판타우는 것을 제안한다. 그 후, 진행은 재료 혁신, 고급 포장 및 건축 개선에 의존한다. 우리는 의 화학적 통합]을 볼 수 있습니다. 칩은 논리, RF 용 III‐V, 메모리 용 Memristive, 단일 커넥터의 상호 연결, 칩을 기반으로 한 칩을 대체 할 수 있습니다. 이 시스템은 단일 커넥터의 상호 연결, 칩을 최적화하여, 단일 커넥터의 상호 연결에 대한 상호 작용을 촉진 할 수 있습니다.

1개의 promising 방향은 ]negative 축전기 FETs (NC‐FETs) 의 사용이고 문 전압을 증폭하기 위하여 ferroelectric 층을 이용하고, 낮은 공급 전압 및 감소한 힘을 허용하. 또 다른 하나는 웨이퍼 ‐ 가늠자 엔진의 채택은 단 하나 칩 (예를들면, Cerebras)로 날조됩니다 - ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ‐ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─

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나노 공정은 나노 스케일의 기본 요소로 인해 성능과 효율성을 크게 향상시키고, 그러나 여행은 장애물과 끊어지게됩니다. 퀀텀 터널링, 열 분산, 제조 정밀도, 상호 연결 지연, 장치 가변성 및 재료 제한은 미터의 수십억에 걸쳐 치수 수축으로 모든 intensify. 이 산업은 풍부한 툴킷과 반응합니다. EUV lithography, GAA 트랜지스터, 3D 통합, 칩, 그리고 비열한 컴퓨팅의 잠재력은 다음과 같은 핵심 요소가 될 수 있습니다. [F]의 혁신과 혁신의 지속 가능성은 다음과 같습니다. [F]