도핑 반도체의 저항력과 전도성을 계산하는 방법을 이해하는 것은 전자 장치를 설계하는 데 필수적입니다. 이 가이드는 도핑 레벨과 재료 특성에 따라 이러한 계산을 수행하는 실용적인 단계를 제공합니다.

저항력과 행동의 기초

저항력은 물자가 전기 현재의 교류를 반대하는 방법의 측정입니다. 전도도는 저항의 역과 이고 물자를 통해서 쉽게 현재 통행할 수 있는 방법을 나타냅니다. 둘 다 재산은 물자의 구성 및 도핑 수준에 달려 있습니다.

연구성과

도핑된 반도체의 저항력 ((rho))는 공식을 사용하여 계산될 수 있습니다:

(rho = frac{1}{q times mu times N})]

위치:

  • q = 초급(~1.6 × 10]-19]] C)
  • μ = 충전 캐리어의 이동성 (cm]2]/V·s)
  • N = 투광 농도 (cm-3])

알려진 값을 substituting함으로써, 당신은 도핑 반도체의 저항성을 결정할 수 있습니다.

협력업체

전도도 ((sigma))는 저항력의 reciprocal로 산출됩니다:

(sigma = q times mu times N)

이 공식은 투광 농도 또는 캐리어 이동성 향상을 보여줍니다.

Practical 예제

실리콘 반도체 공급은 1 × 10]17] cm]-3]의 농도로 도핑됩니다. 전자의 이동성이 1350cm]]2]]/V·s, 다음:

저항력:

(rho = frac{1}{(1.6배 10^{-19})배 1350배 1회 10^{17}})

전도도:

(sigma = (1.6배 10^{-19}) 시간 1350배 1회 10^{17})