동시 정류기는 통제되는 MOSFETs를 가진 다이오드를 대체해서 효율성을 개량하기 위하여 전력 전자공학에서 널리 이용됩니다. Proper 디자인은 최선 성과 및 신뢰성을 지키기 위하여 근본적입니다. 그러나, 몇몇 일반적인 실수는 그들의 효율성을 손상할 수 있습니다. 이 문서는 이 실수를 강조하고 그(것)들을 피하기 위하여 해결책을 제공합니다.

잘못된 문 드라이브 디자인

가장 빈번한 과실 중 하나는 improper 문 드라이브 회로입니다. 충분한 문 전압은 높은 Rds (에)에 지도하고 전도 손실, 과도한 전압은 MOSFETs를 손상할지도 모르다 동안, 증가할 수 있습니다. 문 운전사를 격려하는 것은 정확한 전압 수준 및 빠른 엇바꾸기 시간을 효율성과 장치 경도를 위해 결정적입니다.

Poor 타이밍 및 데드 타임 관리

잘못된 시간 설정은 크로스 컨덕션 또는 촬영을 일으킬 수 있습니다, 증가된 전력 손실 및 잠재적 인 손상에 선도. Proper 타이밍 제어는 다른 회전 전에 하나의 MOSFET이 꺼집니다. 전용 타이밍 회로 또는 컨트롤러를 사용하여 죽은 시간을 최적화하고 이러한 문제를 방지 할 수 있습니다.

Inadequate Snubber 및 레이아웃 디자인

전환 일시 및 전압 스파이크는 레이아웃이 최적화되지 않는 경우 발생할 수 있습니다. 긴 추적 또는 인데쿼트 접지와 같은 Poor PCB 레이아웃은 기적 유도를 증가시킬 수 있습니다. 전갈 스텁 회로 및 소형 설계, 잘 접지 레이아웃은 전자기 방해 및 전압 오버워프를 감소시킵니다.

일반적인 수정 및 모범 사례

  • 적합한 전압 레벨을 갖춘 전용 게이트 드라이버를 사용하십시오.
  • 스위치 특성을 기반으로 한 죽은 시간을 정량화하십시오.
  • 적절한 접지로 컴팩트 한 PCB 레이아웃을 설계.
  • 붓버 회로를 구현하여 일시적을 억제합니다.
  • 시험 및 실제 작동 조건 하에서 회로를 확인 합니다.