DRAM 모듈의 메모리 새로 고침 속도를 계산하는 방법을 이해하는 것은 데이터 무결성을 유지하기위한 필수적입니다. Proper는 메모리 셀의 누설을 충전함으로써 데이터 손실을 방지합니다. 이 문서는 DRAM 모듈의 적절한 재생율을 결정하는 과정에서 프로세스와 키 요소를 설명합니다.

DRAM 새로 고침 빈도는 무엇입니까?

DRAM의 새로 고침 빈도는 종종 메모리 셀이 데이터를 유지하도록 충전되는 방법을 나타냅니다. DRAM 상점 데이터가 용량의 전기 요금으로 인해이 비용이 점차 누출됩니다. 일정한 새로 고침주기는 충전을 복원하고 데이터를 유지해야합니다.

새로운 비율 계산을 수정하는 요인

몇몇 요인은 적합한 새로 고침 비율의 계산에 영향을 줍니다:

  • Memory Cell Leakage: 메모리 셀에서 배출되는 비율.
  • Data Retention Time:] 최소 데이터는 새로 고침 없이 유지되어야 합니다.
  • 작동 온도: 더 높은 온도 증가 누설, 더 빈번한 새로 고침을 요구.
  • Memory Module 사양: 제조업체 권장된 새로 고침 간격.

새로 고침 빈도

새로 고침 간격을 결정하는 기본 공식은 자료 보유 시간에 근거를 둡니다. 예를 들면, 기억 세포가 적어도 64 밀리 초를 위한 자료를 유지한 경우에, 새로 고침 비율은 적어도 매 64 밀리 초 또는 더 적은을 상쾌하게 하기 위하여 놓아야 합니다. 이것은 자료가 책임 누설 때문에 손실되지 않습니다.

두 번째 당 새로 고침을 계산하려면 다음 접근 방식을 사용하십시오.

Refresh Interval (ms) = 데이터 보존 시간 (ms)

예를 들어, 데이터 보유 시간이 64ms 인 경우, 새로 고침 속도는 적어도이어야합니다.

수신율=1000ms / 64ms ≈ 15.6배 초당

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새로워진 비율을 계산하면 메모리의 데이터 보존 시간과 환경 요인에 대해 이해합니다. 새로워진 비율을 유지하고 데이터 무결성을 유지하고 DRAM 모듈의 데이터 손실을 방지합니다.