고효율 전자 디자인을 위한 적당한 MOSFET를 선택하면, 그것의 온 저항 (Rds (on))를 이해해야 합니다. 이 모수는 힘 손실 및 열 성과에 충격을 줍니다. Rds (on)의 정확한 결심은 회로 효율성과 신뢰성을 낙관합니다.

MOSFET On-Resistance에 대한 이해

On-resistance는 MOSFET가 완전히 켜지면 배수 및 소스 터미널 사이의 저항입니다. 그것은 전도 손실 및 열 발생에 영향을 미치는 전력 전환 응용 분야에 중요한 요소입니다. 낮은 Rds (on) 값은 일반적으로 더 높은 효율으로 이어집니다.

RD(on) 측정 방법

측정 RD(on)은 MOSFET에 완전히 턴을 적용하고 알려진 전류를 통과하면서 전압 드롭을 측정하기 위해 지정된 게이트 전압을 적용하는 것을 포함합니다. 저항은 Ohm의 법칙을 사용하여 계산됩니다.

Rds(에) = 전압 드롭 / 배수 전류

공장 Affecting Rds (에) 가치

몇몇 요인은 MOSFET의 Rds (on)에 영향을 미칩니다:

  • 게이트-투-출 전압 (Vgs)
  • 온도계
  • 제조 변이
  • 장치 노후화

높은 효율 응용 분야에 대한 정확하고 신뢰할 수있는 RD (온) 측정을 보장하기 위해 테스트 중에 이러한 요소를 고려하는 것이 중요합니다.