문 현재와 Thyristor 엇바꾸기에 있는 전압의 중요성

• 그것을 행동:] 게이트 전류가 ]I_GT], 넥서스가 트리거되지 않는다. 현재는 약간의 안정적인 회전을 보장한다.
• Gate Pulse vs. DC: 고출력 또는 고속 애플리케이션의 경우, 짧은 방향의 고전류 펄스(예:2–10배 ]I_GT])가 선호됩니다. 그것은 게이트 파워 디퓨전을 줄이고 빠른 회전온을 제공합니다.
• 온도 효과: I_GT]]]] 의 접합 온도 증가로 감소. 냉온 조건을 위해 설계된 게이트 드라이브는 높은 온도에 게이트를 오버 드라이브, 손상 위험.
• Gate-cathode 저항: 문 사이 붙박이 외부 저항기 (예를들면, 100 Ω에 1 kΩ)에 건축하. dv/dt 면제를 개량하고 누설 현재에서 거짓 방아쇠를 방지하십시오.

최대 게이트 전류 등급을 초과 (]I_]GM]]) 몇 초 이상에 대 한 문 접합을 태울 수 있습니다. 잘 설계 된 게이트 드라이버는 피크 전류와 펄스 폭을 제한 합니다.

게이트 전압 (V_GT]]])

Gate 방아쇠 전압(]V_]GT]])은 I_GT]]를 생성하는 최소 게이트-에 카스도 전압입니다. 실리콘 사이리스터를 위해 [[LT:1]V_{])는 V의 V]를 초과합니다.}

• Pulse 상승 시간: 빠른 상승 게이트 전압 (짧은 상승 시간)는 회전에 지연을 감소시키고, 현을 촉매 지역에 균등하게 퍼지고, di/dt 기능을 개량합니다.
• 역 게이트 전압: 일부 디자인은 dv/dt 면제를 개선하고 턴오프 시간을 단축하기 위해 오프 상태 동안 작은 부정적인 전압 (예를들면 –5 V)을 적용합니다.
• 온도 계수:] V_GT]에는 부정적인 온도 계수 (약. –2 mV/°C)가 있습니다. 고온에서, 더 적은 전압이 필요하므로 게이트 드라이브 마진은 최악의 경우의 추악한 조건을 고려해야 합니다.

문 트리거링 방법

문 현재의 적용 방법 회로 복잡성, 고립 필요조건 및 소음 면제.

DC 문 트리거링

연속 DC 전류는 게이트에 적용됩니다. 단순하지만 문 회로의 연속 전력 낭비로 인해 낭비. 저전력 또는 테스트 회로에서만 사용됩니다.

맥박 Triggering

짧은, 고폭 펄스 (예 : 10 μs에서 100 μs 넓은, 1 A 피크) 고용됩니다. 펄스 변압기 또는 광 커플러는 천체의 음극이 지상 잠재력에 있지 않을 때 필수적으로 은하계 고립을 제공합니다. 펄스 기차 트리거 (반 사이클 당 여러 펄스)는 래치 업 유도 부하를 유지하기 위해 단계 제어 정류기에서 일반적입니다.

AC (영 부식) 트리거링

저항 부하 디머머 및 히터에서 게이트는 전자기 간섭 (EMI)을 줄이기 위해 AC 라인의 0 교차로에 방아쇠를 밟습니다. 게이트 신호는 선 전압과 정확히 상대되어야합니다.

Switching 성능에 대한 영향

문 현재와 전압은 직접 중요한 엇바꾸기 모수에 영향을 미칩니다:

• 턴온 시간(t_]]]에]]]]]]:] 의 지연 시간(]t_]]d] ) 과 상승 시간([LT[LT[LT[LT]]]][LT[LT[LT]]]]]]]]]] 의 범위에서 의 범위에서 의 의 를 의 의 를 의 의 를 의 의 를 의 의 의 의 를 의 의 의 를 를 의 를 의 를 를 를 의 의 의 의 의 의 의 의 를 의 의 의 의 의 의 의 의 의 를 를 를 를 를 를 를 의 를 를 를 의 의 의 의 를 를
• 턴오프 시간(t_]q]]]]]]]]:]] 턴온 후 게이트 드라이브에 직접 영향을 미치지 않지만, 역 게이트 바이스는 일부 장치에서 미성년자 저장 시간을 줄일 수 있습니다.
• dv/dt 면제: 양극에 음극선 전압의 상승의 높은 비율은 거짓 방아쇠를 일으킬 수 있습니다. 저 임피던스 게이트 드라이브 (예를들면 저항기를 통해 짧은 문)는 면제를 개량합니다.
• di/dt 기능: 턴온 동안 양극 전류의 상승률이 제한되어야 합니다. 게이트 펄스 형성 (빠른 상승 시간)은 현재 집중하기 전에 실리콘 웨이퍼를 통해 전도성이 균일하게 퍼져 로컬 핫스팟을 방지합니다.