정션 커패시턴스는 반도체 기기의 중요한 매개 변수로서, 전환 속도와 주파수 응답에 영향을 미치는 것입니다. 그것은 주로 p-n 접합부에 depletion 영역과 관련이 있습니다. 이 커패시턴스를 계산하는 것은 접합부의 물리적 특성과 관련 공식을 적용하는 것을 이해합니다.

정션 용량 이해

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캘리포팅 정션 용량

단위 면적 당 접합 용량의 기본 공식은 다음과 같습니다.

Cj = Cj0 / (1 - V / Vb)^m

위치:

  • Cj = 전압 V의 정션 커패시턴스
  • Cj0 = Zero-bias 접합 커패시턴스
  • V = 적용된 반전 전압
  • Vb = 접합의 내장 잠재력
  • m = Grading 계수 (0.33과 0.5 사이 전형적으로)

제로비아의 용량을 찾으려면, 사용 :

Cj0 = (ε * A) / W0

위치:

  • ε] = 반도체 재료의 허가
  • A = 접속점 영역
  • W0 = 0 bias에 depletion 층의 폭

Practical 신청

전기 용량은 고속 전자 부품을 설계하는 데 도움이되는 전기 용량입니다. 그것은 다이오드 및 트랜지스터의 전환 특성에 영향을줍니다. 정확한 계산은 회로에서 최적의 장치 성능을 보장합니다.