반도체 재료의 붕대 에너지는 전자 및 광전자 공학 장치를 설계하는 데 필수적입니다. 그것은 재료가 빛과 전기 전류와 상호 작용하는 방법을 결정합니다. 이 문서는 일반적인 기술과 데이터를 사용하여 Bandgap 에너지를 추정하는 직선 방법을 제공합니다.

캘리포니아의 방법

1개의 실제적인 접근은 반도체의 흡수 스펙트럼을 분석하는 것을 포함합니다. 물자가 다른 파장에 빛을 흡수하는 방법을 측정해서, 당신은 붕대 에너지를 견적할 수 있습니다. 중요한 것은 흡수 가장자리를 확인하기 위한 것입니다, 물자가 photons를 능률적으로 흡수하기 위하여 시작되는.

또 다른 방법은 재료의 방출 된 빛이 분석되는 광경 검사를 사용합니다. 피크 방출 파장은 관계로 계산 될 수있는 Bandgap 에너지에 해당합니다.

Eg = hc / λ

여기서 Eg는 Bandgap 에너지, h]는 Planck의 일정, c]는 빛의 속도, λ]는 방출 파장입니다.

에스트림션을 위한 Tauc Plots 사용

Tauc 플로우는 흡수 데이터에서 광학 붕소를 결정하는 일반적인 기술입니다. 그것은 α가 흡수 계수 인 α가 흡수 계수 인 αhv (^n versus hv)를 포함하고, hv는 광 에너지이며, n은 전자 전환 (n=2 indirect, n=1/2 for direct bandgap)의 유형에 따라 다릅니다.

플롯의 선형 부분은 에너지 축을 가로 질러 띠갭 에너지의 견적을 제공합니다.

연습 팁

  • 흡수 또는 배출 spectra의 정확한 측정을 보장합니다.
  • n의 값은 재료의 전환 유형에 따라 적절한 값을 사용합니다.
  • 정확한 결과를 위해 정기적으로 측정 계기.
  • 유효성 검사에 대한 알려진 데이터와 비교.