반도체 재료의 농축액 평가를 도핑하는 실제 접근법

반도체 재료의 촉감 농도는 전기 특성과 최적화된 장치 성능에 대한 이해에 필수적입니다. 여러 가지 실용적인 방법은 특정 응용 및 재료 유형에 따라 장점과 제한으로 제공됩니다.

전기 측정 기술

전기 방법은 투약에 가장 일반적인 접근법 중 하나입니다. 그들은 전도성 홀 효과, 또는 용량과 같은 반도체의 전기적 특성을 측정합니다. 이 측정은 캐리어 농도 및 이동성에 대한 직접 정보를 제공 할 수 있습니다.

홀 효과 측정은 직접 캐리어 유형과 농도를 결정하기 때문에 널리 사용됩니다. 그것은 자기장을 적용하고 현재 흐름에 결과 전압 수직을 측정하는 데 사용됩니다. 이 방법은 n 형 및 p 형 재료 모두에 효과적입니다.

광학 기술은 투약 수준을 추정하는 비파괴적인 방법을 제안합니다. 일반적인 방법은 photoluminescence, 흡수 분광 검사 및 Raman 분광 검사를 포함합니다. 이 방법은 물자가 점핑 농도와 변화하는 빛과 어떻게 상호 작용하는지 분석합니다.

예를 들어 Raman spectroscopy는 도핑에 의한 진동 모드의 이동을 감지 할 수 있으며 불순도 수준의 견적을 제공합니다. 이 기술은 얇은 필름과 나노 구조에 유용합니다. 전기 접촉이 도전하는.

분석 모델 및 empirical 공식은 또한 측정 가능한 매개 변수를 기반으로하는 추정 농도에 고용됩니다. 이 용량 전압 프로파일링 및 이차 이온 질량 분석 (SIMS)이 포함됩니다.

Capacitance-voltage (C-V) 프로파일링은 다양한 전압에서 반도체 접합의 커패시턴스를 측정하여 도핑 프로파일을 결정합니다. SIMS는 표면과 분석이 가능한 이온을 스퍼터링하여 직접 화학 분석을 제공합니다. 정확한 불순 농도 데이터를 제공합니다.