반도체의 누설 전류는 장치 성능과 신뢰성에 영향을 줄 수 있습니다. 이러한 전류를 식별하고 감소시키기 위해서는 원인을 이해하고 정확한 계산을 수행하는 데 필요합니다. 이 문서는 누설의 일반적인 소스를 논의하고 문제 해결 및 솔루션을 제공하는 방법을 제공합니다.

누설 현재를 이해

누설 현재는 반도체 장치가 국가 또는 특정 조건 하에서 있을 때 발생하는 원치 않는 전기 교류입니다. 그들은 접합 누설 표면 누설, 또는 트랜지스터에 있는 문 누설과 같은 각종 기계장치에서 유래할 수 있습니다. 정확한 계산은 뿌리 원인 및 효과적인 해결책을 진단하는 것을 돕습니다.

열량의 전류

누설 현재를 산출하기 위하여는, 다음과 같이 일반적인 공식을 이용합니다:

Ileak=V/Rleak]]]

위치:

  • Ileak]] 누설 전류
  • V는 적용 전압입니다.
  • Rleak]]는 누설 저항입니다

누설 저항을 측정하고 전압을 적용해서, 엔지니어는 누설 현재를 견적하고 잠재적인 문제점을 나타내는 이상한 수준을 확인할 수 있습니다.

일반적인 원인 및 문제 해결

높은 누설 현재는 결점, 오염, 또는 디자인 결함에 기인할 수 있습니다. 문제 해결은 장치, 측정 누설 수준을 검열하고, 명세에 그들을 비교하는 포함합니다. 기술은 다음을 포함합니다:

  • 신체 손상 또는 오염을 위한 시각 검사
  • 다른 전압에 측정 누설 현재
  • datasheets에 대한 장치 매개 변수 확인
  • 온도 의존 시험 수행

누설 전류를 줄이기위한 솔루션

누설 전류를 감소는 두 가지 디자인 개선 및 프로세스 컨트롤을 포함합니다. 일반적인 솔루션은 다음과 같습니다.

  • 낮은 결함 밀도를 가진 고품질 물자 사용하기
  • 적절한 표면 패시베이션 기법 구현
  • 누설 경로를 최소화하기 위해 장치 형상 최적화
  • 누설을 억제하는 biasing 계획 적용