반 세포 잠재적인 측정은 금속 구조의 부식 비율을 견적하기 위하여 이용된 일반적인 방법입니다. 이 기술은 금속 표면과 참고 전극 사이 전기 잠재적인 다름을 측정합니다. 얻어진 자료는 각종 환경에 있는 부식의 likelihood 그리고 severity를 평가할 것을 도울 수 있습니다.

반셀의 원리

이 방법은 전기 화학 원리에 근거를 둡니다. 금속이 전해질에 드러낼 때, 그것은 참고 전극에 잠재적인 관계를 발전합니다. 부식 잠재력 또는 반 세포 잠재적으로 알려진 이 잠재력은, corrode에 금속의 추세를 나타냅니다. 더 부정적인 잠재력은 전형적으로 더 높은 부식 활동을 건의합니다.

측정방법

측정을 수행하기 위해 구리 / 구리 황산염 또는 은 / 은 / 은 염화 전극과 같은 참조 전극은 금속 표면 근처 환경과 접촉 할 수 있습니다. 볼트 미터는 참조 전극과 금속 사이의 잠재적 인 차이를 기록합니다. 다른 영역의 여러 판독은 종합적인 부식 프로파일을 제공합니다.

부식 비율을 평가하십시오

측정한 잠재력은 empirical 도표 또는 모형을 사용하여 부식 비율과 관련이 있을 수 있습니다. 일반적으로, 잠재적인 -350 mV 대 보다는 더 부정적인. 구리/구리 황산염 전극은 활동적인 부식을 나타냅니다. -200 mV의 위 반전, 잠재적인은 수동 또는 비 부식성 조건을 건의합니다.

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