변환기의 실리콘과 Gan Transistors에 대한 턴온 전압 임계값

트랜지스터의 회전에 전압 임계값은 효율적인 전력 변환기 설계에 필수적입니다. 실리콘과 Gallium Nitride (GaN) 트랜지스터는 전환 행동과 전반적인 성능에 영향을 미치는 다른 특성을 가지고 있습니다.

실리콘 트랜지스터 Turn-On 전압

실리콘 트랜지스터는 일반적으로 0.7V에서 1.5V에 배열하는 임계값 전압이 있습니다. 이 전압은 트랜지스터를 켜고 현재 교류를 허용하기 위하여 요구되는 최소한 문에 근원 전압입니다. 정확한 가치는 특정한 장치 및 그것의 제조 과정에 달려 있습니다.

디자이너는 종종 신뢰할 수있는 전환을 보장하기 위해 임계 전압 위의 마진을 고려합니다. 예를 들어, 실리콘 MOSFET는 10V의 게이트 전압으로 완전히 켜져 임계값보다 잘 켜질 수 있습니다.

갈륨 질화물 트랜지스터는 일반적으로 2V와 4V 사이 더 높은 문턱 전압이, 전형적으로 있습니다. 그들은 스위치에 더 높은 문에 근원 전압을 요구합니다, 그러나 일단 활성화된, 그들은 더 낮은 on-resistance 및 빠른 엇바꾸기 속도를 제안합니다.

이 특성은 고주파 신청과 높 효율성 힘 변환을 위해 적당한 GaN 트랜지스터를 만듭니다. Proper 문 드라이브 전압은 완전히 그들의 이점을 이용합니다.

변환기의 회전에 전압 임계값을 결정하기 위해 트랜지스터의 데이터 시트 사양을 고려하십시오. 임계 값 전압 (V_th])은 전도성에 필요한 최소 게이트 전압을 나타냅니다. 게이트 드라이브 회로는 신뢰할 수있는 작동을위한이 임계 값 위의 전압을 제공합니다.

실리콘 트랜지스터의 경우, 10V의 전형적인 게이트 드라이브 전압은 문턱의 위 안전 한계를 제공하는 일반적입니다. 가미 트랜지스터의 경우, 4V에서 5V의 구동 전압은 종종 충분하지만 일부 디자인은 전체 전도성에 대한 높은 전압을 필요로 할 수 있습니다.