On-resistance (Rds(on))는 MOSFET 장치에서 중요한 매개 변수이며, 장치가 켜지면 배수 및 소스 사이의 저항을 나타내는 장치입니다. Rds(on)]의 정확한 계산은 효율적인 회로 설계 및 적절한 구성 요소를 선택하는 데 도움이됩니다.

On-Resistance에 대한 이해

On-resistance는 장치의 물리적 특성 및 운영 조건에 의해 영향을받습니다. 그것은 MOSFET의 전력 분산 및 열 발생에 영향을줍니다. Rds(on) 값은 높 효율성 응용 프로그램에 바람직합니다.

On-Resistance을 계산하는 단계

Rds(on)를 계산하려면, MOSFET가 완전히 켜져 있는 경우 배수 및 소스 터미널의 전압 강하를 측정하고, 배수 전류로 나눕니다. 공식을 사용하십시오.

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연구 및 개발

MOSFET는 지정된 게이트 전압 내에서 작동하여 진정한 온-state를 달성합니다. 정확한 R]ds(on)값을 얻기 위해 꾸준한 조건에서 전압과 전류를 측정합니다. 온도는 저항에 영향을 미칩니다. 이 측정은 의도한 작용 온도에서 측정을 수행합니다.

추가 팁

  • 측정을 위한 정확한 다중미터 또는 근원 측정 단위를 사용하십시오.
  • 장치의 정격 게이트 전압에서 테스트 수행.
  • 선형성을 관찰하기 위해 다른 현재에 기록 측정.
  • 높은 전류 테스트 중 열 효과를 고려하십시오.