반도체 장비의 성능 최적화에 필수적입니다. 정확한 분석은 전기 특성 제어 및 장치 신뢰성을 보장하는 데 도움이 됩니다. 여러 가지 실용적인 방법은 반도체 재료 내에서 도핑 유통을 평가하는 데 사용됩니다.

Doping Profile Analysis에 대한 기술

다양한 기술은 장점과 제한으로 각 도핑 프로파일을 분석 할 수 있습니다. 일반적인 방법은 보조 이온 질량 분석 (SIMS), 인장 프로파일링 (SRP) 및 전기 화학 용량 전압 (ECV) 측정을 포함합니다.

이차 이온 질량 분석 (SIMS)

SIMS는 상세한 성분 구성 단면도를 제공하는 높게 과민한 기술입니다. 그것은 1 차적인 이온 광속 및 분석에 의하여 주사된 이차 이온을 가진 표면을 튀기는 포함합니다. SIMS는 높은 깊이 해결책을 제안하고 그러나 quantitative 분석을 위한 파괴적인 그리고 필요 구경측정이 있을 수 있습니다.

스프레딩 저항 Profiling (SRP)

SRP는 반도체 샘플에서 인페 도핑 농도에 대한 저항을 측정합니다. 샘플 표면과 녹음 저항 깊이에 대한 조사를 누르는 것이 포함됩니다. SRP는 비 파괴적이지만 SIMS와 비교하여 더 적은 공간의 해상도를 제공합니다.

전기화학 용량 전압 (ECV) 방법

ECV 프로파일링은 전기화학 기술을 사용하여 도핑 레벨을 결정합니다. 그것은 전압의 기능으로 depletion 층과 측정 용량을 형성합니다. ECV는 얕은 도핑 프로파일에 적합하며 양적 데이터를 제공합니다.

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