비스듬한 기술은 전자 증폭기의 믿을 수 있는 가동을 지키기를 위해 근본적입니다. Proper biasing는 증폭기의 선형성, 효율성 및 안정성에 영향을 미치는 정확한 운영 점을 놓습니다. 이 문서는 일반적인 편향 방법, 계산 관련 및 최선 성과를 유지를 위한 제일 연습을 토론합니다.

일반적인 Biasing 기술

몇몇 비스듬한 방법은 증폭기 회로에서, 다른 신청을 위해 적응된 각 이용됩니다. 일반적인 기술은 조정 비스듬한, 이미터 비스듬한, 및 전압 분배자 비스듬한 포함합니다. 적합한 방법을 선정하는 것은 회로의 원한 안정성 그리고 복잡성에 달려 있습니다.

Biasing에 대한 계산

올바른 편향점 계산은 quiescent current (I]Q) 및 전압 (V]]Q])를 활성 장치에 대한 결정합니다. 예를 들어, 양극 접합 트랜지스터 (BJT) 증폭기에서, 편향 저항 저항기 값은 원하는 I[FLT:][FLT:]][FLT:]]]]]]]]]]]]를 설정할 수 있습니다.

VBE] = VR1] + VR2]]

IB = (V]BB] - V]BE) / R]]B]]

IC] ≈ β × I]B]]

VCE = V]CC - IC × R]C]]

Biasing에 대한 모범 사례

증폭기 안정성과 성능을 보장하기 위해, 이러한 모범 사례를 따르십시오:

  • 온도 변이에 대한 더 나은 안정성을 위한 전압 배당체 bias를 사용합니다.
  • transistor 매개변수의 변이에 대한 충분한 한계를 제공하기 위해 biasing 저항기 값을 선택하십시오.
  • 주파수 응답을 향상 시키는 데 필요한 우회 축전기를 포함.
  • 일반적으로 드리프트를 방지하기 위해 작업 중에 비스듬한 점을 확인합니다.