MOSFET 모수를 정확하게 측정하는 것은 전자 회로를 디자인하고 시험하기를 위해 근본적입니다. 각종 방법은 실험실에서 문턱 전압, transconductance 및 하수구 현재와 같은 중요한 특성을 결정하기 위하여 이용됩니다. 이 측정은 장치 행동을 이해하고 신청에 있는 적당한 가동을 지키도록 돕습니다.

측정 임계 전압

임계 값 전압 (V]th])은 MOSFET을 켜기 위해 필요한 최소 게이트 - 투 - 소스 전압입니다. 측정하기 위해, 간단한 설정은 배수장치 전압을 적용하고 배수장치 전류를 모니터링하면서 게이트 전압을 점차 증가시킵니다. V]th는 배수 전류가 크게 증가하는 시점에서 확인됩니다.

Determining Transconductance를 삭제하십시오

Transconductance (g]m])는 효과적으로 문 전압 통제가 배수 전류를 나타냅니다. 그것은 일정한 하수구 근원 전압에 문 전압에 있는 변화에 관하여 배수 현재에 있는 변화를 측정해서 산출됩니다. 곡선 tracer 또는 모수 해석기를 사용하여 이 과정을 간단하게 하고, 정확한 gm]]값을 제공하는 모수 해석기.

배수 전류 측정

배수 전류 (I]D])는 알려진 배수 소스 전압을 적용하고 게이트 전압을 다루기 포함합니다. 소스 측정 단위 또는 반도체 매개 변수 분석기를 사용하여 정확한 전류 판독을 허용합니다. ID]]를 V에 대하여 와 VDS]])와 같은 다양한 매개 변수를 돕는 다양한 매개 변수를 돕는 데 도움이 됩니다.

추가 테스트 방법

다른 방법은 장치 품질을 위한 도핑 프로파일 및 서브스레지 슬로프 분석을위한 커패시턴스 전압 (C-V) 측정을 포함합니다. 이 테스트는 MOSFET 행동에 대한 포괄적 인 통찰력을 제공하며 장치 특성화 및 품질 관리에 유용합니다.