Biasing 회로는 아날로그 전자에 필수적으로 트랜지스터 및 기타 활성 장치의 정확한 작동 지점을 설정하는 것입니다. Proper biasing은 장치 안정성, 선형성 및 최적의 성능을 보장합니다. 이 문서는 비스듬한 회로를 효과적으로 계산하고 최적화하는 방법을 설명합니다.

Biasing 회로 이해

Biasing 회로는 필요한 DC 전압 및 현재를 활성화 구성 요소에 제공합니다. 그들은 Q 포인트로 알려진 안정적인 작동 지점을 설정하여 온도 또는 장치 매개 변수에 따라 일정한 차이가 남아 있습니다. 일반적인 편향 구성은 고정 편견, 수집기 -베이스 편견 및 전압 배당기 편견을 포함합니다.

캘리브레이션 브랜딩 매개변수

계산은 적절한 저항기 값과 전압을 결정하여 원하는 Q 포인트를 달성합니다. 양극 접합 트랜지스터 (BJT)의 경우, 키 매개 변수는 수집기 전류 (I]C) 및 기본 전류 (I]B])를 포함합니다. 기본 단계는 다음과 같습니다.

  • Load requirements를 기반으로 원하는 수집가 전류를 식별합니다.
  • 현재 이득 (β)를 사용하여 기본 전류를 계산 : IB] = I]C] / β.
  • 기본 저항기 (R]B])를 사용하여 기본 전압 (VBE) 및 공급 전압을 결정합니다.
  • 수집가 저항기 (R]C])를 설정하여 대상 수집기 전압을 달성합니다.

Biasing 회로 최적화

최적화는 온도 변화와 장치 변이에 대한 안정성을 제공하는 저항기 값을 선택 포함합니다. 전압 배당기 바이스를 사용하여 β 변이의 영향을 줄이기 위해 안정성을 향상시킵니다. 저항기 비율을 조정하고 이미터 저항기를 추가하면 비스듬한 점 안정성을 향상시킬 수 있습니다.

다른 구성 요소 값으로 회로를 시뮬레이션하면 가장 안정적인 바이스 포인트를 식별 할 수 있습니다. Q-point를 처리하는 것은 선형 영역 내에서 작동을 막고 전체 회로 성능을 향상시킵니다.