편광 양극 접속 트랜지스터 (BJTs)는 전자 회로에 있는 그들의 안정되어 있는 가동을 지키기를 위해 근본적입니다. Proper biasing는 정확한 운영 점을 놓고, 찡그림 및 열 런웨이를 막습니다. 이 가이드는 비스듬한 BJTs에 단계별 과정을 효과적으로 제공합니다.

BJT Biasing 이해

Biasing은 적절한 DC 전압 및 전류를 트랜지스터의 터미널에 적용하는 것을 포함합니다. 그것은 일반적으로 증폭을위한 활성 영역을 설정한다. Proper biasing은 온도 변이 및 구성 요소의 온도에 일관성있는 성능을 보장합니다.

1 단계 : 운영 지점을 결정

필요한 수집가 전류 (Ic) 및 수집가 - 메터 전압 (Vce)를 응용 프로그램에 식별합니다. 이 매개 변수는 트랜지스터의 quiescent Point (Q-point)를 정의합니다. 최대 등급 및 전형적인 값에 대한 트랜지스터의 데이터 시트를 상담하십시오.

2단계: Biasing 방법을 선택하십시오

일반적인 편향 방법은 조정 편향, 수집가에 기초 편향, 및 전압 분배자 편향기를 포함합니다. 전압 분배자는 트랜지스터 모수 및 온도에 있는 변이에 대하여 그것의 안정성 때문에 널리 이용됩니다.

3 단계 : Biasing 구성 요소를 계산

전압 배당체 비스듬한 경우, 전압 배당체 네트워크 (R1 및 R2)에 대한 저항 값을 기본 전압 (Vb)을 설정하십시오. 관계로 기본 전류 (Ib)를 계산하십시오.

Ib = (Vb - Vbe) / Rb

Vbe는 일반적으로 실리콘 트랜지스터에 대한 0.7V입니다. 결정적인 수집가 저항기 (Rc) 및 이미터 저항기 (Re) 원하는 Ic를 설정하고 바이스 포인트를 안정화.

단계 4: 조립하고 회로를 시험하십시오

비스듬한 네트워크를 굽는 것은 또는 PCB에 건축합니다. 회로를 강화하고 수집가, 기초 및 이미터에 전압을 측정하십시오. 표적 Q 점을 달성하기 위하여 필요한 경우에 저항기를 조정하십시오.

5 단계 : 안정성 검증

온도와 공급 전압의 범위에 회로를 시험하십시오. 수집가 현재와 전압이 수락가능한 한계 안에 남아 있다는 것을 확인하십시오, 안정되어 있는 bias 점을 나타내는.