양극 접합 트랜지스터 (BJT)를 비스듬히는 것은 전자 회로에 있는 그것의 안정되어 있는 가동을 지키기를 위한 근본적입니다. Proper biasing는 정확한 운영 점을 놓고, 찡그림을 방지하고 일관된 성과를 지키. 이 가이드는 BJT biasing를 효과적으로 산출하기 위하여 단계 단계 단계 단계 과정을 제공합니다.

BJT Biasing 이해

BJT biasing는 기본 전류와 전압을 설정하여 원하는 수집가 전류를 설정합니다. 그것은 온도 변이 또는 트랜지스터 매개 변수 변경에 관계없이 활성 영역 내에서 트랜지스터의 작동을 유지하는 데 도움이됩니다.

1 단계 : 필수 수집가 전류를 결정

회로의 부하 요구 사항에 따라 원하는 수집가 전류 (Ic)를 식별합니다. 이 값은 양방향 네트워크 설계에 영향을 미치며 트랜지스터를 효과적으로 처리 할 수 있습니다.

단계 2: 기초 현재 (Ib)를 산출하십시오

BJT의 현재 이득 (β)를 사용하여, 기초 현재를 산출하십시오:

Ib = Ic / β

단계 3: 결정적인 기본적인 전압 (Vb)

기본 정점 (실리콘 BJTs를 위한 대략 0.7V)의 전압 강하를 고려하는 기본적인 전압을 산출하십시오:

Vb = Vbe + Ve]

4 단계 : Biasing Network 설계

베이스 전압과 전류를 설정하기 위해 비스듬한 네트워크에 대한 저항 값을 선택하십시오. 일반적으로, 전압 분배자는 공급 전압 (Vcc)에서 접지에 연결된 저항기 R1 및 R2와 함께 사용됩니다.

R2 계산 (지상에 연결):

R2 = Vb / Ib

R1 (Vcc에 연결)를 계산:

R1 = (Vcc - Vb) / Ib

최종 체크인

비스듬한 네트워크가 정확한 기본 전압과 전류를 제공합니다. 수집가 전류를 유지하면 필요한 경우 비스듬한 안정성 기술을 고려하여 온도 변이가 안정적입니다.