양극 접속점 트랜지스터 (BJTs)는 각종 전자 신청을 위한 필요한 현재 증폭을 제공하는 힘 증폭기에 있는 근본적인 성분입니다. Proper 디자인 고려사항 및 계산은 증폭기 회로의 효율성, 신뢰성 및 성과를 지키기 위하여 결정됩니다.

전력 증폭기에 있는 BJTs의 기본적인 원리

BJTs는 현재 통제한 장치로, 기초 통제에 작은 입력 현재가 이미터에 수집가에서 더 큰 현재 흐르는 것을 통제하는 상태에서 작동합니다. 전원 증폭기에서는, BJTs는 손상을 방지하고 선형 가동을 지키는 주의깊은 선택 및 비스듬한 선택을 요구하는 높은 현재와 전압을 취급합니다.

설계 고려 사항

BJT 기반 전원 증폭기 설계의 주요 요인은 적절한 트랜지스터 등급, 편향 방법 및 열 관리 선택이 포함됩니다. 트랜지스터를 지속하면 안전한 제한이 과열 및 실패를 방지합니다.

Power 증폭기 설계 계산

계산은 quiescent point (Q-point), load line 및 biasing resistors를 결정합니다. 수집가 전류 (Ic) 및 수집가 전압 (Vce)는 선형성 및 효율성을 최적화하도록 설정됩니다. 전형적인 공식은 다음과 같습니다.

  • Q-포인트: Ic = (Vcc - Vce) / Rc
  • 바이저 저항기:] Rb = (Vb - Vbe) / Ib
  • 전력 방산: P = Vce × Ic

열 고려사항은 트랜지스터의 전력 등급을 계산하고 과열을 효과적으로 분산시키는 열 싱크를 통합합니다.