저소음 증폭기 (LNAs)는 소음을 최소화하고 신호 품질을 극대화하기 위해 주의적인 디자인을 필요로 하는 통신 시스템의 필수 구성 요소입니다. 최적화 트랜지스터 성능은 고성능 LNA를 달성하는 주요 측면입니다. 이 문서는 트랜지스터를 가진 저소음 증폭기를 설계하기위한 실용적인 팁을 제공합니다.

오른쪽 트랜지스터 선택

적절한 트랜지스터 유형 선택은 근본적입니다. 일반적으로, 이항상 양극 트랜지스터 (HBTs) 및 금속 산화물 반도체 유도체 분야 효력 트랜지스터 (MOSFETs)는 LNAs에서 사용됩니다. HBTs는 일반적으로 MOSFETs가 더 나은 입력 임피던스를 제공하는 동안 고주파에 저잡음 숫자를 제안합니다.

낮은 소음을 위한 Biasing

Proper biasing은 저소음을 위한 최적의 지역에 있는 트랜지스터를 지킵니다. 안정되어 있는 bias 점 유지는 소음을 증가할 수 있는 변동을 감소시킵니다. 낮은 열 소음 기여도 및 고려한 온도 보상 기술을 가진 bias 네트워크를 사용하십시오.

임피던스 일치

입력 및 출력 임피던스를 소스로 끌어 올리고 부하를 최소화하고 전력 전송을 극대화합니다. 고품질 인덕터 및 커패시터와 일치 네트워크를 사용하십시오. 정확한 임피던스 일치는 소음 수치를 줄이고 전반적인 증폭기 성능을 향상시킵니다.

레이아웃 및 패러시틱

Careful PCB 배치는 충격 성능이 향상 될 수있는 패러시틱 인덕턴스 및 커패시턴스를 감소시킵니다. 일치 네트워크에 가까운 트랜지스터를 유지하고 리드 길이를 최소화하십시오. 접지면과 전자기 간섭을 줄이기 위해 적절한 차폐를 사용하십시오.