회로의 오른쪽 MOSFET을 선택하면 RD (온)로 알려진 인지도를 이해해야합니다. 이 매개 변수는 전력 효율과 열 발생에 영향을줍니다. RD (온)의 정확한 계산은 에너지 손실을 최소화하면서 성능 요구 사항을 충족하는 장치를 선택하는 데 도움이됩니다.

(온)

RD(on)는 MOSFET가 완전히 켜지면 배수 및 소스 터미널 사이의 저항입니다. 낮은 Rds (on) 값은 더 적은 전력 분산으로 더 나은 전도성을 나타냅니다. 이 매개 변수는 데이터 시트에 지정되며 온도 및 게이트 전압과 다릅니다.

회로 설계에서 열렬한 RD(on)

회로에서 효과적인 Rds (on)를 계산하기 위해, 지정된 게이트 전압에 제조업체에 의해 제공된 최대 Rds (on) 값을 고려하십시오. 온도 효과 및 운영 조건을 위해 조정하십시오. 공식은 곧 입니다:

Effective Rds(on) = RDs(on) 지정된 조건

Factor Influencing Rds(에) 선택

  • Gate 전압: 게이트 드라이브 전압을 완전히 MOSFET에 턴하는 것은 충분하다, 미니멀리즘 RD(에).
  • Temperature: RDs(온도)는 온도로 증가하므로 열 관리가 고려됩니다.
  • 현재 요구조건: RDs(on)을 사용하여 MOSFET을 선택하여 최대 부하 전류를 효율적으로 처리할 수 있습니다.
  • 전력 방산:] P = I2 × Rds(on)를 사용하여 전력 손실 계산하여 열 한계를 초과하지 않는 것을 보장합니다.