트랜지스터 포화는 전자 회로 디자인에 있는 중요한 개념, 특히 엇바꾸기 신청에서입니다. 그것은 트랜지스터가 완전히 때, 그것의 맞은편에 최소 전압 강하에 최대 현재 교류를 허용하. 산출하고 포화를 달성하는 방법을 이해하는 것은 능률적인 회로 가동을 위해 근본적입니다.

Transistor 포화 이해

양극 접속 트랜지스터 (BJT)에서, 포화는 기본 배출과 기본 수집가 접합 둘 다 앞으로 biased 때 발생합니다. 이 국가는 가능한 한 많은 현재를 수행, 외부 회로 구성 요소에 의해 제한.

포화에 대한 계산

BJT가 포화에 있는 경우에 결정하기 위하여, 수집가 메터 전압 (V]] CE])에 포화 전압 (V]CE (sat))를 비교하십시오. 일반적으로, VCE(sat)]는 0.2V의 주위에 입니다. 기본적인 현재 (I[LT:7]] ]를 사용하여 하중을 초과하는 것을 보증합니다. (현재:7FLT:7])는 다음과 같이 하중을 초과합니다::::7FLT:7]를 초과하는 것을 보증합니다.

기본 계산은 다음과 같습니다.

  • IB = I]C / hFE]]
  • IB는 포화에 필요한 최소보다 약간 높다.

Practical Design Guidelines(공동적 디자인 가이드라인)

디자이너는 기본 저항기 값을 선택할 때 안전 마진을 포함해야 합니다. 일반적으로, 제공 1.5 받는 사람 2 배 최소 기본 전류 믿을 수 있는 엇바꾸기. 또한, 선택 transistor with high h[FE 효율성을 향상시킬 수 있습니다.

전환 회로에서, 작업 중 수집기 배출 전압을 확인하여 트랜지스터는 포화에 남아 있습니다. Proper biasing 및 구성 요소 선택은 최적의 성능에 중요합니다.