다이오드에 있는 depletion 지구는 장치 성과를 optimizing를 위해 근본적입니다. 이 지역의 정확한 계산은 전자 회로에서 널리 이용되는 능률적인 Schottky와 p-n 다이오드를 디자인하는 것을 돕습니다.

Schottky 다이오드의 보충 지역

Schottky 다이오드에서, depletion 지역은 금속 반도체 공용영역에 모양을 형성합니다. 그것의 폭은 일 기능 다름 및 도핑 수준에 달려 있습니다. depletion 폭은 붙박이 잠재력 및 도핑 농도를 사용하여 산출될 수 있습니다.

depletion 폭 (W)는에 의해 주어집니다:

W = 스킵 (2 * ε * V bi) / (q * N d) )

반도체의 허가가 있는 곳인 V bi는 내장된 잠재력이며, q는 초가 충전이며, N d는 기증자 농도입니다.

p-n 다이오드에 있는 Depletion 지역

p-n 다이오드에서, depletion 지역은 p 유형과 n 유형 물자 사이 접합에 형성합니다. 그것의 폭은 다이오드의 앞으로 그리고 반전 bias 행동에 영향을 줍니다. 이 폭을 계산하는 것은 유사한 원리를 포함하고 그러나 접합의 양측을 고려합니다.

p-n 접합부의 depletion 폭 (W)는 다음과 같이 계산됩니다.

W = 스킵 (2 * ε * (V bi + V R)) / (q * (N A + N D) / (N A * N D))

V R는 적용되는 역 bias, N A 및 N D가 수용자와 기부자 농도입니다.

설계 고려 사항

정확한 depletion 지역 계산은 엔지니어가 다른 바이스 조건에서 장치 동작을 예측할 수 있습니다. 조정 도핑 레벨 및 재료 속성은 특정 응용 프로그램에 대한 depletion 폭을 최적화 할 수 있습니다.

중요한 요인은 depletion 지구를 녹이는 것은 농도, 물자 허용, 및 적용된 전압을 포함합니다. 이 모수의 Proper 통제는 장치 효율성 및 경도를 강화합니다.