효율적인 전력 스위치를 설계하는 것은 전기 시스템을 최적화하는 데 필수적입니다. MOSFET은 고효율 및 빠른 스위칭 기능으로 인해 일반적으로 사용됩니다. Proper 계산 방법은 올바른 MOSFET을 선택하고 신뢰할 수있는 작동을 보장합니다.

MOSFET 모수 이해

주요 매개 변수는 배수 소스 전압 (V[DS), 배수 전류 (I]D]), 게이트 임계 전압 (V]GS(th)]), RDS(on)를 포함합니다. 이러한 값은 MOSFETTE의 열량 측정 및 소형화에 대한 선택에 영향을 줍니다.

전력의 방사성

MOSFET의 전력 분산은 R]DS(on)로 주로 되고 손실 전환이 됩니다. 전도 전력 손실(P)은]])을 사용하여 계산할 수 있습니다.

P]컨드] = ID2] × R]]DS(에) ]]

전환 손실은 전환 빈도와 전압에 달려 있습니다. 계산은 게이트 충전 및 드라이버 기능에 의해 결정되는 상승과 낙하 시간을 포함합니다.

Practical 계산 방법

적절한 MOSFET을 선택하려면 다음 단계를 따르십시오.

  • 최대 전압 및 현재 요구 사항을 결정하십시오.
  • R]DS(on) 와 load current를 이용하여 전도 손실 계산
  • 전환 빈도 및 게이트 충전을 기반으로하는 예상 전환 손실.
  • 전압과 전류 등급을 가진 MOSFET를 선택하여 계산된 값을 초과합니다.
  • 전력의 낭비에 근거를 둔 열 관리 필요를 검증하십시오.

이 방법을 사용하여 선택한 MOSFET은 회로 내에서 효율적이고 안정적으로 작동한다.