Potensi bawaan dalam sebuah p-n junction adalah parameter penting yang memengaruhi perilaku perangkat semikonduktor.Ini dapat ditentukan melalui berbagai metode, termasuk perhitungan teoretis dan pengukuran eksperimental. Panduan ini menyediakan langkah praktis untuk memperkirakan potensi bawaan secara akurat.

Perhitungan Teori Edan Potensi Terapan Terapan

Pendekatan paling umum melibatkan penggunaan konsentrasi doping dari daerah tipe-p dan n. Rumusnya adalah:

tool tool Vbi = (kT/q) * ln(N]a * Nd[ / n]i]2[FLT11]]

Di mana:

  • Vbi= potensial bawaan
  • k = konstanta Boltzmann
  • T = suhu dalam Kelvin
  • q = muatan dasar
  • [[GANDAFLT:0]]Na = konsentrasi doping akseptor
  • [[GANDAFLT:0]]Nd = donor doping konsentrasi
  • [[GANDAFLT:0]]ni = intrinsik konsentrasi pembawa

Metode Pengukuran Eksperimen

Metode praktis yang melibatkan pengukuran lebar penipisan dan medan listrik bawaan.Teknik termasuk kapativitas-voltage (C-V) profiling dan pengukuran arus-voltage (I-V). Metode-metode ini menyediakan data empiris untuk memperkirakan potensinya.

Langkah Praktis untuk Mengukur

Untuk menentukan potensi percobaan bawaan:

  • Siapkan perangkat sambungan p-n dan menghubungkannya ke pengaturan pengukuran.
  • Lakukan pengukuran C-V untuk mendapatkan daya kapabilitas deplesi pada berbagai tegangan.
  • Plot Plot 1/C2 lawan tegangan dan cari pencegat untuk memperkirakan potensi bawaan.
  • Sebagai alternatif, mengukur tegangan tegangan tegangan tegangan tegangan-terbuka di bawah kondisi keseimbangan.