Keresidenan On-Besifiz (R]ds(on)]) adalah sebuah parameter penting dalam perangkat MOSFET, menunjukkan resistansi antara saluran pembuangan dan sumber ketika perangkat dihidupkan. Perhitungan akurasi dari R]ds(on) membantu dalam merancang sirkuit efisien dan memilih komponen yang sesuai.

Pemahaman Keterbelakangan-Ketertarikan

Pada-resistensi dipengaruhi oleh sifat fisik dan kondisi operasi perangkat. Ini mempengaruhi disipasi daya dan panas generasi dalam MOSFET. Lower Rds(on) nilai yang diinginkan untuk aplikasi efisiensi tinggi.

Langkah-langkah untuk Menghitung Ketahanan-Tergantung

Untuk menghitung R]ds(on)]], mengukur penurunan tegangan melintasi drain dan terminal sumber ketika MOSFET sepenuhnya menyala, dan dibahagikan oleh arus drain. Gunakan rumus:

Rds(on) = Vds[ / Id]

Pertimbangan Praktis

Exceure Ensurce MOSFET beroperasi di dalam tegangan gerbang yang ditentukan untuk mencapai suatu yang benar di-state. Mengukur tegangan dan arus di bawah kondisi stabil untuk memperoleh R]ds(on) nilai. Suhu juga mempengaruhi resistensi; melakukan pengukuran pada suhu operasi yang dimaksudkan.

Tips Tambahan

  • Use a tepat multimeter atau sumber-ukuran unit untuk pengukuran.
  • Lakukan tes pada perangkat yang dinilai tegangan gerbang.
  • Pengukuran rekor football pada arus yang berbeda untuk mengamati linearitas.
  • Diagnone mempertimbangkan efek termal selama pengujian saat ini.