Kepahaman tentang cara menghitung resistivitas dan konduktivitas dalam semikonduktor doped sangat penting untuk merancang perangkat elektronik.Pedoman ini menyediakan langkah praktis untuk melakukan perhitungan ini berdasarkan tingkat doping dan sifat material.

Dasar - Dasar Kepenolakan dan Konduktivitas

Kelainan lentik adalah ukuran seberapa kuat suatu material menentang arus listrik.Konduktivitas adalah ketidakbalikan dari resistivitas dan menunjukkan betapa mudahnya arus dapat melewati suatu material.Kedua sifat tergantung pada komposisi material dan tingkat doping.

Mengira Kelainan

Resistivitas lagson ((rho)) dari semikonduktor doped dapat dihitung menggunakan rumus:

(rho = frac{1}{q kali mu kali N})[

Di mana:

  • [[Eflat:0]]q = muatan dasar (~1 ⁇ 6 × 10-19 C)
  • [[GALALT:0]] μ = mobilitas pembawa muatan (cm2/V·s)
  • [[GALAL:0]]N = konsentrasi doping (cm-3)

Dengan menggantikan nilai-nilai yang dikenal, Anda dapat menentukan resistivitas dari semikonduktor yang didoped.

Mengira Konduktivitas

Konduktivitas (sigma) dihitung sebagai timbal balik resistivitas:

(sigma = q kali mu kali N)

Formula ini menunjukkan bahwa meningkatkan konsentrasi doping atau mobilitas carrier meningkatkan konduktivitas.

Contoh Praktis

Misa Misa Misai sebuah semikonduktor silikon didoped dengan konsentrasi 1 × 1017[ cm]-3]. Jika mobilitas elektron adalah 1350 cm]2/V·s, maka:

Kelainan:

[[CALALT:0]](rho = frac{1}{(1.6 kali 10^{-19}) kali 1350 kali 1 kali 10^{17})[

Konduktivitas Kebiadaban:

[3] ](sigma = ( ⁇ 1 kali 10^{-19}) kali 1350 kali 1 kali 10^{17})[