Ketertarikan dengan memahami tegangan junction dalam diode PN sangat penting untuk menganalisis perilaku mereka di sirkuit elektronik Artikel ini menjelaskan konsep dasar dan metode praktis yang digunakan untuk menghitung tegangan ini

Latar Belakang Saraf Junktion

voltase junction, juga dikenal sebagai potensial bawaan, adalah perbedaan tegangan melintasi wilayah deplesi sebuah diode PN ketika berada dalam kesetimbangan.Ini hasil dari difusi muatan kapal induk melintasi junction dan medan listrik yang dihasilkan.

Biasanya, tegangan junction tergantung pada tingkat doping dari wilayah P dan N dan suhu. Untuk diode silikon, tegangan ini biasanya berkisar antara 0,6V dan 0,7V di bawah kondisi bias maju.

Menghitung Penghitungan Penggalian Penggalian Penggalian Penggalian Penghisapan Voltan

Metode paling umum untuk memperkirakan tegangan junction melibatkan menggunakan persamaan diode:

I = I s (e^{(V / nV T)} - 1)[

Di mana saya adalah arus melalui diode, I s adalah arus kejenuhan, V adalah tegangan junction, n adalah faktor idealitas, dan V T adalah tegangan termal (~25,85 mV pada suhu kamar).

Pengulangan persamaan memungkinkan perhitungan tegangan junction untuk arus yang diberikan:

V = nV T In((I / I s) + 1)[

Pertimbangan Praktis

Dalam praktiknya, tegangan junction diukur langsung menggunakan voltmeter ketika diode dimajukan bias. Untuk tujuan desain, nilai tipikal digunakan berdasarkan jenis diode dan kondisi operasi.

Variasi suhu secara signifikan mempengaruhi tegangan junction, dengan suhu yang lebih tinggi mengurangi tegangan.

  • Anda menggunakan persamaan diode untuk perhitungan yang tepat.
  • Mari kita perhatikan efek suhu pada tegangan.
  • Pembagi fusi fante ke lembar data untuk nilai tegangan tipikal.
  • Ukur secara langsung untuk aplikasi dunia nyata.